電子半導(dǎo)體行業(yè)特點(diǎn)：產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細(xì)分行業(yè)多、技術(shù)門檻高

      對(duì)于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，主要可以分為設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。近年來(lái)，隨著國(guó)家對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視和扶持，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體廠商在這個(gè)三個(gè)環(huán)節(jié)都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。特別是在設(shè)計(jì)和封測(cè)這兩塊，國(guó)內(nèi)已有一些廠商進(jìn)入到了全球領(lǐng)先行列。但是在半導(dǎo)體制造這塊，與國(guó)外廠商之間的差距依然很大。而對(duì)于本就處于弱勢(shì)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造來(lái)說(shuō)，其所需的關(guān)鍵設(shè)備，半導(dǎo)體材料和零部件，中國(guó)更是極為薄弱。

      CMP 全稱為 Chemical Mechanical Polishing，即化學(xué)機(jī)械拋光，是普通拋光技術(shù)的高端升級(jí)版本。集成電路制造過(guò)程好比建房子，每搭建一層樓層都需要讓樓層足夠水平齊整，才能在其上方繼續(xù)搭建另一層樓，否則樓面就會(huì)高低不平，影響整體可靠性，而這個(gè)使樓層整體平整的技術(shù)在集成電路中制造中用的就是化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)。

      CMP拋光是集成電路芯片制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓全局均勻平坦化的關(guān)鍵工藝，化學(xué)機(jī)械拋光液是化學(xué)機(jī)械拋光工藝過(guò)程中使用的主要化學(xué)材料。碧菲CMP納米粒子拋光液已在130-7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，可以應(yīng)用于國(guó)內(nèi)8英寸和12英寸主流晶圓產(chǎn)線。根據(jù)拋光對(duì)象不同，碧菲CMP納米粒子拋光液包括銅及銅阻擋層系列、鎢拋光液、硅拋光液、氧化物拋光液等產(chǎn)品。

      碧菲BFCMP通過(guò)納米級(jí)粒子的物理研磨作用與拋光液的化學(xué)腐蝕作用的有機(jī)結(jié)合，對(duì)集成電路器件表面進(jìn)行平滑處理，并使之高度平整的工藝技術(shù)。當(dāng)前集成電路中主要是通過(guò) CMP 工藝，對(duì)晶圓表面進(jìn)行精度打磨，并可到達(dá)全局平整落差 50A°-1000A°（相當(dāng)于原子級(jí) 5-100nm）超高平整度。

CMP 主要運(yùn)用在在單晶硅片拋光及多層布線金屬互連結(jié)構(gòu)工藝中的層間平坦化。集成電路制造需要在單晶硅片上執(zhí)行一系列的物理和化學(xué)操作，同時(shí)隨著器件特征尺寸的縮小，需要更多的生產(chǎn)工序，其中 90nm 以下的制程生產(chǎn)工藝均在 400 個(gè)工序以上。就拋光研磨工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12-13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25-30次。